力晶半导体下半年量产40纳米NAND闪存

力晶半导体（PowerchipSemiconductorCorporation，PSC）公司董事长黄崇仁（FrankHuang）日前透露，该公司将于2010年下半年正式开始量产出货40纳米制程的NAND闪存芯片产品，同时他还指出力晶的闪存业务未来的工作重点将会放在利基和定制型产品上。

力晶半导体将于今年下半年量产40纳米NAND闪存
　　

在与瑞萨科技（RenesasTechnology）之间的技术协议中止之后，力晶半导体已经开发了自有的内部闪存技术。此前也有消息透露，这家台系DRAM芯片厂商的NAND闪存芯片采用的仍然主要是70纳米制造工艺，同时该公司也在利用50纳米制造工艺开发8Gb容量的NAND闪存芯片产品。早在去年金融危机尚在肆虐的时候，力晶曾力争通过DRAM业拯救工程而获得台当局的拨款，寻求以45亿新台币的预算建立一家新的NAND闪存公司，不过该项目的财政支持最终被当局否决。
　　

至于DRAM芯片业务，黄崇仁表示力晶正在努力将制造工艺切换到63纳米，此次升级完成之后公司DRAM芯片生产成本将会大幅下降20%之多。至于更远的计划，比如何时将制造工艺切换至45纳米，力晶表示这将取决于ASML的浸润式扫描设备将于何时交付，而据黄崇仁透露该设备交付已经延期。黄崇仁还认为目前的DRAM芯片价格正处于“合理”水平，他对整个DRAM市场的前景也相当乐观，甚至对2011年的DRAM市场都相当看好。